XPS

PHI 5000 Versa Probe Ⅱ

호 실 : 213호
회 사 : ULVAC-PHI 5000 VersaProbe, Phi(Φ)
담 당 : 나용운
전 화 : 032) 835 - 4219

용도

▶ 시료의 표면에 특성 X선을 입사하여 방출되는 광전자의 운동에너지를 측정함으로써 원자상의 결합에너지를 측정할 수 있다. 분석하고자하는 시료의 표면상의 조성 및 화학적인 결합상태를 알 수 있고, Monochromator가 장착된 Al X-ray source를 사용할 경우, 높은 분해능에 의한 결과를 얻을 수 있다. 또한, Ar Ion gun을 이용하여 시료 표면의 cleaning etching을 통하여 깊이에 따른 조성 분포를 알아보는 depth profiling 실험도 가능하다. 표면상의 얇은 층에 대한 분석이 가능하므로 표면 원자층에 대한 선택적인 분석 및 depth profiling에 의한 박막의 성장 메커니즘 연구 분야에도 사용된다.

기기사양


- 2012년 7월도입

 

▶Model : PHI 5000 VersaProbe ll
▶Specification
1. Charge Neutralization System
   1) Methode : Dual beam charge neutralization or equivalent methode
   2) Analysis for insulating samples
2. Minimum X-ray beam size : 10㎛
3. XPS Energy Resolution : 0.50eV FWHM for Ag 3d 5/2 peak
4. XPS Elemental Sensitivity vs Resolution on Ag Sample
5. Max Current of Ar Sputter Gun :≥ 5.0 ㎂at 5㎸

 
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<인천대학교 교내 사용자>
기본 55,000원/시간
Depth Profile 55,000원/시간
UPS 55,000원/시간
-Ar sputtering: 11,000원/회(3min)

<외부 업체 및 외부 대학 사용자>
기본 88,000원/시료
Depth Profile 132,000원/시간
UPS 154,000원/시간
-Ar sputtering: 22,000원/회(3min)

* 프로그램만 사용 시 기본료의 50% 가격 적용
* 부가세(10%) 포함 가격입니다.

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